فارنت: براساس مقاله ای که در مجله معتبر Nature منتشر شده است؛ محققان اخیرا به فرآیند جدیدی در ساخت ترانزیستورهای فوق نازک دسترسی پیدا کرده اند. این ترانزیستور باریک از موادی آزمایشی با نام علمی Transition metal dichalcogenide ساخته شده که به اختصار تی ام دی (TMD) نامیده می شود.

بارزترین مشخصه تی ام دی، باریک بودن این مواد است، با تکیه بر این خصوصیت محققان خواهند توانست سلول های خورشیدی، منابع تشخیص نور یا نیمه هادی بسیار نازک و باریک را بسازند. فناوری جدید این امید را به فیزیکدانان و تولید کنندگان می دهد تا محصولات جدیدی را خلق کنند؛ اما در حال حاضر تولید تی ام دی بسیار مشکل و هزینه بر است.