فصلنامه نانو مقیاس
پیاپی 2 (تابستان 1393)

در این تحقیق، ساختار هندسی آرایه نانو لوله های تیتانیوم دی اکسید (TNAs) به روش اکسیداسیون آندی یک ورق تیتانیوم در آب یون زدایی شده و محلول اتیلن گلیکول در پتانسیلهای مختلف واکنش مورد مطالعه قرار گرفت. لبه جذب نانولوله های تشکیل شده TNA در ولتاژهای اکسیداسیون مختلف با استفاده از روش اپتیکی بازتاب نفوذی در حدود nm 385 بدست آمد. میانگین قطر درونی نانولوله ها با افزایش ولتاژ اکسیداسیون از nm 67 در V 30 به nm 125 در V 60 افزایش یافته است. علاوه بر این، فوتوجریان ناشی از cm2/µA 6/73 برای ولتاژ اعاملی V 30 به قرار گرفنت نمونه های TNA در معرض المپ UV در بایاس V 1 از cm2/µA 4/88 برای ولتاژ اعاملی V 60 افزایش یافت. همچنین، مقدار ماکزیمم بازده فوتون تابیده شده به جریان (IPCE) برای نمونه بهینه (نمونه ساخته شده تحت ولتاژ اکسیداسیون V 60) در طول موج nm 375 حدود 28 %بدست آمده است.

در این تحقیق نقاط کوانتومی ZnS، CdSe، CdS سنتز و بر روی الکترود آند بصورت یک فیلم آستر شد. این الکترود از زیر لایه ای از جنس شیشه تشکیل شده بود و با لایه ای نازک از اکسید قلع دوپ شده با فلور)فلویورین تین اکسید (FTO) پوشش داده شد. در جهت لایه نشانی CdS و ZnS از روش واکنش دهی و جذب پی در پی لایه یونی (SILAR) و به منظور لایه نشانی CdSe از رسوبدهی حمام شیمیایی)CBD) استفاده شد و رشد ذرات مورد بررسی قرار گرفت. با بهره گیری از واکنش اکسیداسیون و احیای "پلی سولفید" به عنوان الکرتولیت واستفاده از الکترود سولفید مس (Cu2S) به عنوان کاتد، سلول خورشیدی مبتنی بر نقاط کوانتومی، (QDSSC) تهیه شد. طیف های بدست آمده توسط اسپکرتوسکوپی XRD و EDAX نشان داد که ذرات سولفید مس به اندازه nm 53/17 و نقاط کوانتومی به اندازه های 7 تا 5/9 نانومرت بدست آمده است. مطالعات مربوط به افزودن یون منگنز به آند سلول خورشیدی به منظور افزایش راندمان، برای اولین بار در این تحقیق صورت گرفت و نشان داده شد که عملکرد سلول خورشیدی با افزودن یون +Mn2 به میزان 54 %افزایش می یابد. برای مشخصه یابی سلول خورشیدی ساخته شده، از دستگاه شبیه ساز اشعه خورشید با AM 5/1 استفاده شد و مطالعه مربوط به پارامترهای اندازه گیری عملکرد سلول خورشیدی از جمله ولتاژ مدار باز (VOC) دانسیته جریان(I)جریان اتصال کوتاه (Jsc) فاکتور انباشتگی (FF) و بازدهی سلول بدست آمد.

در این مقاله گرافن ابتدا از روش رسوب دهی بخار شیمیایی (CVD) سنتز و ساختار آن توسط طیف XRD و تصویر SEM بررسی و اثبات شد. سپس به منظور آبدوست کردن ساختار گرافن سنتز شده، از روش مخلوط اسیدها برای پیوند دادن گروه های کربوکسیلات و هیدروکسید به لبه های گرافن استفاده شد. سپس گرافن آب دوست شده در سه غلظت 05/0 و 075/0 و 1/0 % حجمی بصورت مجزا به اتیلن گلیکول اضافه و به مدت سه ساعت در دمای 60 درجه سانتیگراد اولرتاسونیک شد تا نانوسیالات اتیلن گلیکول/گرافن تهیه شود. ضریب هدایت حرارتی منونه ها توسط دستگاه KD2 اندازه گیری و خواص ترموفیزیکی آنها نیز توسط روابط تیوری معترب تخمین زده شد. سپس ضریب انتقال حرارت منونه ها در یک رژیم جریانی آرام درون یک لوله مستقیم و تحت شار حرارتی ثابت اندازه گیری شد. طبق نتایج بدست آمده، افزودن 1/0 %حجمی گرافن به اتیلن گلیکول ضریب هدایت حرارتی را 7/17 %و ضریب انتقال حرارت را 6/10 %می افزاید. همچنین افزایش دما و غلظت گرافن موجب افزایش ضریب هدایت حرارتی و ضریب انتقال حرارت میشود.

نانوفناوری یکی از چالش برانگیزترین حوزه ها در زمینه ثبت اختراعات در چند سال اخیر بوده است. عدم آشنایی حقوقدانان و کارشناسان ادارات ثبت اختراع در رابطه با وضع قوانین و یا بررسی اختراعات این حوزه باعث شده است برخی، اختراعات نانوفناوری را تنها نوعی کاهش اندازه اختراعات موجود بدانند و بنابراین احراز وصف جدید بودن را غیرممکن بدانند. در این مقاله به دنبال این هستیم تا ضمن معرفی اختراعات نانوفناوری و اثبات لزوم آشنایی کارشناسان با اختراعات این حوزه تعریف مناسبی را برای این اختراعات ارایه دهیم تا بتواند مالکی برای تفکیک این اختراعات قرارگیرد. همچنین پس از آن به بررسی رشط جدید بودن در انواع مختلف اختراعات نانوفناوری میپردازیم تا ببینیم آیا واقعا محدود به کاهش اندازه ها با روش های از پیش موجود هستند؟ و یا اگر در برخی موارد با کاهش اندازه محصوالت قبلی روبرو میشویم باز هم امکان احراز رشط جدید بودن وجود دارد یا نه؟ در نهایت با بررسی این اختراعات به این نتیجه رسیدیم که حتی در مواردی هم که با کاهش اندازه اختراعات موجود روبرو هستیم بازهم رشط جدید بودن قابل احراز است