مدل بسته جریان - ولتاژ در ترانزیستورهای نانولوله کربنی آلاییده

در این مقاله مدل بسته ای برای منحنی مشخصه جریان – ولتاژ ترانزیستورهای اثر میدانی شبه ماسفت با کانال نانولوله کربنی ارائه شده است. به منظور مدل سازی این نوع افزاره ها باید معادله یک بعدی جریان درین – سورس که از مدل سازی عمومی بالستیک به کمک فرمول لاندور به دست می آید به همراه معادله ای که وابستگی بین سطح فرمی و تراکم حامل ها را ارائه می دهد به صورت خودسازگار حل شوند. همچنین برای محاسبه تراکم حامل ها لازم است انتگرال حاصل از ضرب چگالی حالت ها و تابع فرمی به صورت عددی محاسبه شود. این محاسبه قدری پیچیده است. در این مقاله با مطالعه رفتار این انتگرال در تمام نواحی و مطالعه تابعیت آن به سطح فرمی نشان داده ایم که مقدار آن را می توان با معادله درجه ی دومی تقریب زد. بدین ترتیب یک مدل بسته جریان – ولتاژ در هر دو ناحیه ی زیر آستانه و بالای آن به دست می آید. مقایسه نتایج بدست آمده با اندازه گیری های حاصل از شبیه سازی عددی نشان می دهد مدل بسته ی ارائه شده از دقت خوبی برخوردار است.