جرم موثر در نیمه هادی های مغناطیسی رقیق شده: با استفاده از مگنتواپتیک

نمونه هایی از فیلم های نازک اکسید روی آلاییده با تیتانیم رشد داده شده بر روی زیر لایه (0001) با استفاده از روش لایه نشانی با لیزر پالسی تهیه شد. با اندازه گیری مغناطش این نمونه ها توسط اسکویید مگنتومتر، نتیجه شد که نمونه ها در دمای اتاق فرو مغناطیس است. با استفاده از اثرمگنتو اپتیکی فارادی زاویه چرخش فاراده و MCD را به صورت تابعی از انرژی در فاصله 4- 5/1 الکترون ولت و همچنین چگالی حامل های هر یک از نمونه ها با استفاده از اثر هال اندازه گیری شدند. مشاهده شد گاف های نواری با چگالی حامل ها تغییر می کنند. از این روی جرم موثر حامل ها از طریق اثر بورستین- ماس و انقباض گاف های نواری محاسبه شده است.