تحلیل و طراحی یک اسیلاتور بسیار کم نویز در تکنولوژی CMOS

در این مقاله، ساختار یک VCO بسیار کم نویز معرفی شده است که نویز فاز آن از کمترین نویز فاز قابل حصول در ساختار VCO های موجود کمتر است. در مدار پیشنهادی از یک مدار تشدید مرتبه چهار استفاده شده است، همچنین شکل موج جریان تزریقی به این مدار به صورت کلاس C است که بهترین بهره تبدیل DC به RF را به دست می دهد. نویز فاز اسیلاتور پیشنهادی به صورت تحلیلی بررسی شده که نتیجه آن فرمول های بسته ای است که میزان بهبود نویز فاز در ساختار مطروحه را نسبت به ساختار متداول، برای مقادیر مختلف عناصر مدار تشدید، نشان می دهد. برای مثال مقدار این بهبود در ناحیه جریان-محدود در مقایسه با ساختار متداول و برای عناصر مشابه مدار تشدید، dB 6 است. به منظور تایید صحت فرمول های استخراج شده، نویز فاز حاصل از روابط با نتایج شبیه سازی مقایسه شده است که این نتایج تطابق عالی دارند.