طیف گسترده ای طیفی تک فوتون بهمن دیود در 65nm ریزتر استاندارد CMOS تکنولوژی اجرا

این مقاله به بررسی خواص نوری یک دیود بهمنی تک فوتون با بازه جذب وسیع ساخته شده در فن آوری سیماس استاندارد 65 نانومتری می پردازد. بازه وسیع جذب نور به علت استفاده مستقیم از زیرلایه بدون تعریف لایه ناخالصی اضافه بدست آمده است. بالاتر بودن ضریب یونیزاسیون ایمپکت الکترون نسبت به حفره سبب افزایش احتمال آشکارسازی فوتون در طول موجهای بالا (قرمز و مادون قرمز نزدیک) می شود. داشتن احتمال آشکارسازی کمتر نسبت به فن آوری های قدیمی تر به علت بالا رفتن چگالی ناخالصی ها در فن آوری های استاندارد مدرن سیماس مورد انتظار است.