مروری بر گرافن و کاربرد آن در ساختار ترانزیستورهای اثر میدانی
نویسنده:
چکیده:
بنا به قانون مور تعداد ترانزیستورهای یک تراشه در هر بازه ی زمانی دو ساله دوبرابر میشوند. تراکم فزاینده ی ترانزیستورها مشکل افزایش دمای افزاره را در پی دارد. یک راهبرد جهت غلبه بر این مشکل کوچک کردن اندازه ی ترانزیستورها است. اما کاهش مداوم اندازه سبب افت کارآیی سیلیکون شده و مشکلاتی مانند تونل زنی الکترون را به دنبال دارد. گرافن ماده ای است که تمام پتانسیل های لازم را برای آنکه بتواند جایگزین سیلیکون در صنعت تولید ادوات نیمه هادی شود دارا است. ساختار اتمی گرافن سبب بهبود خواص الکتریکی، نوری، مکانیکی و حرارتی می شود. پژوهش ها نشان میدهند که استفاده از این ماده به عنوان ماده ی کانال در ترانزیستورهای اثر میدانی منجر به بهبود عملکرد افزاره می گردد. در این نوشتار به بررسی خواص گرافن و کاربرد آن در ساختار ترانزیستورهای اثر میدانی میپردازیم.
کلیدواژگان:
زبان:
فارسی
انتشار در:
در صفحه:
18
لینک کوتاه:
magiran.com/p1581200
دانلود و مطالعه متن این مقاله با یکی از روشهای زیر امکان پذیر است:
اشتراک شخصی
با عضویت و پرداخت آنلاین حق اشتراک یکساله به مبلغ 1,390,000ريال میتوانید 70 عنوان مطلب دانلود کنید!
اشتراک سازمانی
به کتابخانه دانشگاه یا محل کار خود پیشنهاد کنید تا اشتراک سازمانی این پایگاه را برای دسترسی نامحدود همه کاربران به متن مطالب تهیه نمایند!
توجه!
- حق عضویت دریافتی صرف حمایت از نشریات عضو و نگهداری، تکمیل و توسعه مگیران میشود.
- پرداخت حق اشتراک و دانلود مقالات اجازه بازنشر آن در سایر رسانههای چاپی و دیجیتال را به کاربر نمیدهد.
In order to view content subscription is required
Personal subscription
Subscribe magiran.com for 70 € euros via PayPal and download 70 articles during a year.
Organization subscription
Please contact us to subscribe your university or library for unlimited access!