بررسی تاثیرساختاریاخته واحدبرخواص اپتیکی سیلیسین

در این مقاله، اثر پیکربندی انحنای یاخته واحد نسبت به صفحه دو بعدی روی تابع دی الکتریک در سیلیسین بررسی شده است. رفتار طیف جذبی وپاشندگی ضریب شکست با استفاده از روش نظریه تابعی چگالی برحسب انرژی فوتون تابشی برای انحناءهای مختلف نمایش داده شده است. نتایج نشان می دهند که، برای طول پیوند ثابت، با افزایش زاویه انحنای یاخته واحد از صفحه، جذب و ضریب شکست افزایش می یابد. بعلاوه، قله های جذب و ضریب شکست به سمت طول موجهای بلندتر جابه جا می شود. در این راستا، رفتارطیف جذبی و پاشندگی ضریب شکست اپتیکی به ازاء انحناءهای مختلف رسم شده اند. کاهش گاف انرژی با افزایش انحناء ی یاخته واحد دلیل فیزیکی رفتارهای فوق است.