مطالعه بنیادی برهم کنش گاز N2O بر روی سطوح حالت های خالص و آلایش یافته با Si، Ga و SiGa نانو لوله آرمچیر بور فسفید: به روش DFT

در این تحقیق با استفاده از نظریه تابع چگالی، پارامترهای الکتریکی، ساختاری، کوانتومی و تشدید مغناطیس هسته ای(NMR) مربوط به برهم کنش گاز N2O بر روی وضعیت اتم های B و P حالت های خالص و آلایش یافته با Si، Ga و SiGa نانولوله آرمچیر(4 و4) بور فسفید(BPNTs) مورد بررسی قرار گرفته است. برای این منظور هفت مدل جذبی را بر روی سطح خارجی نانو لوله بور فسفید در نظر گرفته و سپس تمام ساختارهای مورد مطالعه را با استفاده از روش B3LYP و توابع بنیادی(d) G 31-6 بهینه نموده ایم. ساختار های بهینه شده برای محاسبه پارامترهای الکتریکی، ساختاری، کوانتومی و NMR مورد استفاده قرار گرفته اند. نتایج حاصل نشان می دهد که مقادیر انرژی های جذب تمام مدل های مورد مطالعه منفی بوده، گرماده هستند و از نظر ترمودینامیکی مساعد می باشند. هنگامی که گاز N2O از سر اکسیژن خود جذب اتم بور نانولوله گردد، این گاز به اکسیژن اتمی و نیتروژن مولکولی تفکیک می شود، در این حالت انرژی جذب بیشتر از سایر مدل ها بوده لذا از سایر مدل ها نیز پایدارتر است. در مدل های جذبیA ، B و C پارامتر سختی کروی نانولوله کاهش قابل توجهی را نسبت به حالت اولیه نشان می دهد که بیانگر افزایش واکنش پذیری و فعالیت نانو لوله است. همچنین در این مدل ها مقدار الکترونخواهی، پتانسیل شیمیایی، الکترونگاتیویته و پارامتر نرمی افزایش قابل ملاحظه ای را نسبت به حالت اولیه نشان می دهند. نتایج حاصل از محاسبات NMR نشان می دهد مقادیرCSI در مدل C از سایر مدل ها بیشتر است. نتایج این تحقیق نشان می دهد نانولوله های بور فسفید آلایش یافته با Si ، Ga و SiGa انتخاب مناسبی برای جذب و تهیه حسگر گاز N2O می باشند