تحلیل و بهبود جریان حالت خاموش نانو ماسفت کرنشی دومحوره سیلیکانی نوع p با کنترل چگالی ناخالصی زیرلایه مجازی

نویسنده:

محمد مهدی خاتمی ، مجید شالچیان ، محمدرضا کلاهدوز

چکیده:
در ماسفت کرنشی دومحوره نوع p سیلیکانی، وجود کانال پارازیتی موازی کانال اصلی، با افزایش جریان حالت خاموش، عملکرد ماسفت را با مشکل مواجه می کند. در این مقاله، روشی برای حذف این کانال پارازیتی و بهبود جریان حالت خاموش، با کنترل چگالی ناخالصی زیرلایه مجازی ارائه می شود و سپس بوسیله ی شبیه ساز، نتایج بررسی می گردد. نتایج شبیه سازی نشان می دهد با افزایش دوپینگ بستر مجازی تا مقدار 17^10*4، ضمن تشکیل کانال با موبیلیتی موثر بالا، جریان حالت خاموش تا بیش از 4-10 برابر کاهش می یابد. این روش در طول کانال های مختلف موثر بوده و همچنین باعث بهبود مقاومت خروجی ماسفت می گردد.
کلیدواژگان:

نانو ماسفت کرنشی نوع p ، جریان حالت خاموش ، چاه کوانتومی ، کانال پارازیتی ، بستر مجازی

زبان:
فارسی
انتشار در:
مجله مهندسی برق و الکترونیک ایران، سال سیزدهم شماره 4 (زمستان 1395)
صفحات:
41 تا 50
لینک کوتاه:
magiran.com/p1657853 
دانلود و مطالعه متن این مقاله با یکی از روشهای زیر امکان پذیر است:
اشتراک شخصی
با عضویت و پرداخت آنلاین حق اشتراک یک‌ساله به مبلغ 1,390,000ريال می‌توانید 70 عنوان مطلب دانلود کنید!
اشتراک سازمانی
به کتابخانه دانشگاه یا محل کار خود پیشنهاد کنید تا اشتراک سازمانی این پایگاه را برای دسترسی نامحدود همه کاربران به متن مطالب تهیه نمایند!
اطلاعات بیشتر
توجه!
  • حق عضویت دریافتی صرف حمایت از نشریات عضو و نگهداری، تکمیل و توسعه مگیران می‌شود.
  • پرداخت حق اشتراک و دانلود مقالات اجازه بازنشر آن در سایر رسانه‌های چاپی و دیجیتال را به کاربر نمی‌دهد.
In order to view content subscription is required

Personal subscription
Subscribe magiran.com for 70 € euros via PayPal and download 70 articles during a year.
Organization subscription
Please contact us to subscribe your university or library for unlimited access!
More information