خواص الکتریکی و نوری نانو لوله های سیلیکونی تک دیواره: روش تنگ بست sp3
در این مقاله، تاثیر خمش و انحنای نانو لوله سیلیکونی را بر طیف جذبی و ساختار باند انرژی آن با استفاده از روش تنگ بست بررسی می کنیم. انحنای ذاتی نانو لوله ها باعث تغییر پیوند اوربیتال های سیگما و پای اتم های سیلیکون می شود که بستگی به شعاع نانو لوله دارد. ابتدا تاثیر نحوه همپوشانی اوربیتال ها را بر ساختار باند انرژی نانو لوله های با قطر کم را بررسی می کنیم. سپس قسمت موهومی تابع دی الکتریک، که متناسب با ضریب جذب نوری می باشد را بدست می آوریم. تنها جذب نوری بین باندی را در نظر می گیریم و تقریب گرادیان برای محاسبه جذب نوری استفاده می کنیم. محاسبات ما نشان می دهد که مدل تنگ بست بهینه شده پیوند سیگما-پای برای نانو لوله ها با شعاع های کوچک، تفاوتی کوچک با مدل ساده شده تنگ بست اوربیتال پای دارد و هرچه شعاع نانو لوله کوچکتر باشد، این اختلاف، برجسته تر می شود.
- حق عضویت دریافتی صرف حمایت از نشریات عضو و نگهداری، تکمیل و توسعه مگیران میشود.
- پرداخت حق اشتراک و دانلود مقالات اجازه بازنشر آن در سایر رسانههای چاپی و دیجیتال را به کاربر نمیدهد.