تهیه پوشش های نانوکامپوزیتی آلی - معدنی ضد الکتریسیته ساکن بر پایه اپوکسی/ سیلیکا دارای نانوذرات ITO

در این پژوهش، پوشش های پلیمری هیبریدی آلی/ معدنی بر پایه اپوکسی/ سیلیکا دارای مقادیر متفاوت نانوذرات ایندیم قلع اکسید تهیه شد و مقاومت الکتریکی آنها مورد بررسی قرار گرفت. بدین منظور، برای تهیه پوشش هیبریدی از پیشماده های 3-گلیسیداکسی پروپیل تری متوکسی سیلان و تترا متوکسی سیلان، در حضور اتیلن دیآمین به عنوان عامل پخت استفاده شد و فرآیند در دمای پایین و با استفاده از روش سل- ژل انجام گرفت. نتایج حاصل از آزمون تفرق نور لیزر نشان داد که اندازهی ذرات در محلول سل هیبریدی بدون حضور نانوذراتITO و محلول هیبریدی دارای نانوذرات ITO در ابعاد نانومتری است. آزمون میکروسکوپ الکترونی عبوری نشان داد که ذرات ITO مکعبی شکل و اندازه آن ها بین 50-20 نانومتر است. تصاویر سطح و سطح مقطع پوشش هیبریدی نانوکامپوزیتی توسط میکروسکوپ الکترونی روبشی نشان داد که نانوذرات ITO توزیع مناسبی با ضخامت حدود 10میکرومتر دارند. بررسی خواص الکتریکی ضدالکتریسیته ساکن و خواص نوری نشان داد که مقاومت الکتریکی سطحی پوششها با افزایش مقدار نانوذرات ITO بطور قابل توجهی کاهش می یابد و در محدوده بین %1 تا %2 وزنی از نانوذرات، پوششها ضمن دارا بودن خواص الکتریکی در محدوده ضدالکتریسیته ساکن، از شفافیت بالایی (بالای %80) برخوردارند. با استفاده از آزمون طیف سنجی فلورسانس اشعه ایکس- پراکنش انرژی، حضور و توزیع مناسب عناصر سیلیسم، ایندیم و قلع در پوششهای هیبریدی نانوکامپوزیتی دارای نانوذرات ITO تایید شد.