مروری بر روش های افزایش امنیت ارتباطات جهت طراحی مدارات مبتنی بر آتوماتای سلولی کوانتومی

فناوری اکسید فلز نیمه هادی مکمل یک روش محبوب و فراگیر در طراحی مدارات الکترونیکی و دیجیتالی است. ولی در این فناوری، کاهش در سطح زیر میکرون به سادگی امکان پذیر نیست؛ بدین دلیل فناوری آتوماتای سلولی کوانتومی نقطه ای در سطح نانو به عنوان یک فناوری پیشتاز درزمینه نانو و روشی جدید جهت طراحی مدارات دیجیتال و کاهش توان مصرفی معرفی گردید. آتوماتای سلولی کوانتومی نقطه ای در سطح نانو یک روش جدید برای انجام محاسبات با انتقال اطلاعات از طریق اندرکنش سلول های کوانتومی را بیان می کند. ابعاد کوچک، سرعت بالا، توان مصرفی پایین و تاخیر کم از ویژگی های اصلی این فناوری است. طراحی مدارات ایمن با امنیت بالا در فناوری آتوماتای سلولی کوانتومی نقطه ای در سطح نانو با در نظر گرفتن ارتباطات بین سلولی و مصرف توان کم، فضای مصرفی بهینه، برای طراحان امری بسیار مهم و حایز اهمیت است. لذا، در این مقاله ابتدا آتوماتای سلولی کوانتومی نقطه ای در سطح نانو شرح داده شده است و سپس سلول های کوانتومی، ساختارهای مهم در این فناوری، مبحث زمان بندی و نکات مهم در مدارات آتوماتای سلولی کوانتومی نقطه ای در سطح نانو مطرح گردیده است و درنهایت مروری بر پژوهش های ارایه شده درزمینه امنیت نظیر مدار رمزنگاری در ارتباط بین مدارات در فناوری آتوماتای سلولی کوانتومی نقطه ای در سطح نانو صورت گرفته است. درنهایت ساختارها، مدارات و صحت عملکرد آن ها مورد تحلیل و بررسی قرارگرفته است. نتایج حاصل نشان می دهد که می توان با روش هایی همچون طراحی مدار با دروازه Abtash، استفاده از منطق برگشت پذیر در دروازه فینمن، کلید برگشت پذیر با مدار فردکین و پیاده سازی فرآیند رمز گزاری رمزگشایی، امنیت و قابلیت اطمینان به مدارات در ارتباطات نانو بر اساس آتوماتای سلولی کوانتومی نقطه ای در سطح نانو را افزایش داد.