بررسی تاثیر سلسله مراتب حافظه نهان ناهمگن در پردازنده های مراکز داده
این مقاله به مساله تاثیر استفاده از حافظه های غیر فرار در سلسله مراتب حافظه نهان برای پردازنده های مراکز داده در عصر سیلیکون تاریک پرداخته است. همان طور که مصرف انرژی به یکی از مباحث مهم عملیات و نگهداری مراکز داده ابری تبدیل شده است، فراهم کنندگان سرویس های ابری به شدت در این زمینه نگران شده اند. تکنولوژی حافظه های غیر فرار نوظهور جایگزینی مناسب برای حافظه های متداول امروزی می باشند. ما در این مقاله از حافظه غیر فرار STT-RAM در مقایسه با حافظه SRAM به عنوان حافظه نهان سطح آخر استفاده می کنیم. تراکم بالا، دسترسی خواندن سریع، توان مصرفی نشتی نزدیک به صفر و غیر فرار بودن باعث می شود حافظه STT-RAM یک فناوری مهم برای حافظه های درون تراشه باشد. در اکثر تحقیقات قبلی که از حافظه های غیر فرار بهره گرفته اند، روش های خاص و مبتنی بر محک های متعارف بررسی شده و در مورد محک های ابری نوظهور تحت عنوان بارهای کاری Scale-out تحلیل کاملی انجام نداده اند. ما در این مقاله با اجرای بارهای کاری Scale-out، تاثیر استفاده از حافظه های غیر فرار در سلسله مراتب حافظه نهان پردازنده های ابری مراکز داده را بررسی می کنیم. نتایج آزمایش روی محک CloudSuite نشان می دهد که استفاده از حافظه STT-RAM در مقایسه با حافظه SRAM در حافظه نهان سطح آخر، میزان انرژی مصرفی را حداکثر 59% کاهش می دهد.
- حق عضویت دریافتی صرف حمایت از نشریات عضو و نگهداری، تکمیل و توسعه مگیران میشود.
- پرداخت حق اشتراک و دانلود مقالات اجازه بازنشر آن در سایر رسانههای چاپی و دیجیتال را به کاربر نمیدهد.