تاثیر شرایط و روش لایه نشانی در خواص فیزیکی لایه های MAPbI3 به منظور استفاده در سلول خورشیدی پروسکایتی
در سال های اخیر سلول های خورشیدی با جاذب پروسکایت به دلیل افزایش فوق العاده بازده، شدیدا مورد توجه محققان قرار گرفته اند. در این پژوهش لایه های نازک پروسکایت متیل آمونیم سرب یدید (MAPbI3) به روش رشد دومرحله ای تهیه شده است. دو روش چرخشی چرخشی و چرخشی غوطه وری شد و ویژگی های فیزیکی لایه های به دست آمده از این روش ها مقایسه شد. ویژگی های اپتیکی و ساختاری آن ها توسط روش های UV-VIS ، XRD و FE-SEM بررسی شده است. نتایج حاصل از بررسی های ساختاری، فاز مکعبی را برای پروسکایت MAPbI3 نشان داد. همچنین مورفولوژی سطح لایه ها در تصاویر FE-SEM مشخص شد، که تشکیل یک لایه منسجم، بدون هیچگونه ترک و ناپیوستگی را تایید می کند. نتایج نشان داد که گاف اپتیکی نمونه ها در بازه eV 59/1- 54/1 است. همچنین اثر تغییر غلظت ماده اولیه بر خواص فیزیکی لایه های MAPbI3 تهیه شده به هر دو روش، مشخص شد. نتایج نشان داد که در هر دو روش با افزایش غلظت PbI2 لایه های با ضخامت و جذب بیشتر ساخته می شود.
- حق عضویت دریافتی صرف حمایت از نشریات عضو و نگهداری، تکمیل و توسعه مگیران میشود.
- پرداخت حق اشتراک و دانلود مقالات اجازه بازنشر آن در سایر رسانههای چاپی و دیجیتال را به کاربر نمیدهد.