بررسی تاثیر تعداد اتمهای کربن موجود در عرض نوار نانومتری گرافنی بر جریان ترانزیستور تک الکترونی گرافنی

ترانزیستور تک الکترونی یک قطعه الکترونیکی در ابعاد نانومتر است که شامل سه الکترود فلزی و یک جزیره یا نقطه کوانتومی می باشد. جزیره می تواند از نانومواد کربنی مانند نوار نانومتری گرافنی انتخاب شود. تعداد اتم های کربن موجود در نوار نانومتری گرافنی بر سرعت عملکرد ترانزیستور و ناحیه انسداد کولنی تاثیر می گذارد. در این تحقیق، جریان ترانزیستور تک الکترونی با جزیره ای از نوار نانومتری گرافنی مدل سازی شده است. تاثیر عواملی از جمله تعداد اتم های کربن موجود در عرض نوار نانومتری گرافنی، طول نوار نانومتری گرافنی و ولتاژ اعمالی بر گیت روی جریان ترانزیستور بررسی شده است. نتایج مدل سازی نشان می دهد که با افزایش تعداد اتم ها در عرض نوار نانومتری گرافنی، ناحیه انسداد کولنی در نمودارهای پایداری بار ترانزیستور کاهش می یابد. همچنین کاهش طول نوار نانومتری گرافنی و افزایش ولتاژ اعمالی بر گیت باعث کاهش ناحیه جریان صفر ترانزیستور می شود. افزایش تعداد اتم ها در عرض سه جزیره باعث افزایش ناحیه تونل زنی تک الکترون و بهبود عملکرد ترانزیستور می شود.