بررسی مدهای فونونی نوری و شاخص شایستگی نانوصفحات اکسید گرافن جهت کاربرد در دستگاه های سوئیچینگ نوری

برای مشخصه یابی ساختار نانوصفحات اکسید گرافن، از آنالیز پراش پرتو ایکس (XRD)، میکروسکوپ الکترونی-عبوری (TEM)، و طیف سنجی رامان و فروسرخ تبدیل فوریه (FTIR) استفاده شده است. نتایج، نشان دهنده وجود لایه های نازک اکسید گرافن است که دارای ساختار کریستالی مناسب با پیک حدود 10 درجه و نسبت ID/IG حدود 0.99 است. همچنین، با استفاده از روابط کرامرز-کرونیگ و به دست آوردن ضریب شکست، ضریب خاموشی و ضرایب دی الکتریک آنها با آنالیز طیف سنجی فروسرخ تبدیل فوریه (FTIR)، مدهای فونونی نوری، طولی و عرضی، برای این ماده محاسبه شد. سپس، ویژگی های نوری غیرخطی با استفاده از روش جاروب Z تک پرتو با استفاده از لیزر Nd:YAG پیوسته با طول موج 532 نانومتر به دست آمد. نتایج جاروب Z  نشان می دهد که نانوصفحات اکسید گرافن دارای پدیده خود همگرایی و جذب دوفوتونی است. همچنین، یک شاخص شایستگی (FOM) مناسب با این نانوصفحات به دست آمد.