بررسی آزمون و ارزیابی مقاومت تشعشعی TID ترانزیستورهای GaN در برد تقویت کننده SSPA جهت بکارگیری در محموله ماهواره LEO

با ظهور فناوری GaN، دست یابی به توان مایکروویو با استفاده از ادوات حالت جامد و با بازدهی بالا، بیش از پیش میسر شده است. لذا استفاده از تقویت کننده های SSPA با فناوری GaN در ماهواره ها به خصوص ماهواره های LEO، مورد توجه قرار گرفته است. از طرفی، تشعشعات فضایی می تواند بر عملکرد و قابلیت اطمینان قطعات موجود در سامانه های فضایی تاثیرگذار باشد که لازم است مورد بررسی قرار گیرد. به منظور صحه گذاری بر امکان استفاده از ترانزیستورهای GaN در ماهواره های LEO لازم است اثرات تابشی بر روی این تزانزیستورها بررسی شود. در این مقاله به بررسی اثر TID بر ترانزیستورهای GaN در برد تقویت کننده SSPA به همراه برد توالی ساز آن، پرداخته شده است. از آنجاییکه در نمونه مهندسی تقویت کننده SSPA از قطعات تجاری استفاده شده است و محاسبات حاصل از تخمین های RDM تحت بدترین شرایط نشان می دهد که انجام آزمون برای این قطعات الزامی است، آزمون بررسی مقاومت تشعشعی برای این تقویت-کننده انجام شد. نتایج آزمون نشان می دهد که برد SSPA GaN تا دز تقریبا krad 16 دارای قابلیت تحمل تشعشعی است. بنابراین ترانزیستورهای تطبیق نیافته GaN، تا این مقدار از دز، مقاوم هستند. این درحالی است که برد توالی ساز عملا دارای قدرت تحمل کمتر از krad 5/5 می باشد.