بررسی بهره وری سلول خورشیدی پروسکایتی با لایه ی فعال معدنی RbGeBr3 و لایه های متفاوت جمع کننده الکترون و حفره

امروزه سلول های خورشیدی پروسکایتی (PSCs)، در مقایسه با فناوری های فتوولتاییک موجود با سرعت قابل توجهی در حال پیشرفت است. درکار حاضر، تمرکز اصلی بر بررسی بهره وری دو ساختار متفاوت PSCs  با لایه فعال پروسکایتی معدنی  است. محاسبات مبتنی بر الگوی اپتوالکترونیک سلول خورشیدی و حل معادلات پیوستگی چگالی بار و جریان با روش عددی المان محدود است. به منظور بهینه سازی بهره وری، ضخامت های لایه انتقال دهنده الکترون (ETL) و لایه فعال معدنی  تغییر داده شده است. نتایج محاسبات شبیه سازی شده برای سلول خورشیدی با ساختار اولFTO/ ITO/ / PEDOT:PSS/ Au،  بالاترین بازدهی 37/11 % ، با جریان مدار کوتاه (mA/cm^2) 47/14 و ولتاژ مدار باز 96/0 ولت و برای سلول خورشیدی با ساختار دوم FTO/ TiO2/ RbGeBr3/ Spiro-OMETAD/ Au ، بهره وری 57/10% را نشان می دهد. در هر دو ساختار بیان شده، بالاترین بهره وری با در نظر گرفتن ضخامت ها برای لایه انتقال دهنده الکترون 80 نانومتر و لایه فعال معدنی 200 نانومتر است. نتایج این مقاله می تواند در طراحی سلول های خورشیدی نسل جدید مبتنی بر لایه های پروسکایتی معدنی مفید باشد.