کاهش کوپلینگ متقابل بین المان های آرایه آنتن پچ میکرواستریپ با استفاده از جاذب مغناطیسی فرامواد در فرکانس 3/5 گیگاهرتز

در این مقاله یک ساختار فراماده جهت کاهش کوپلینگ متقابل بین المان های یک آنتن آرایه ای میکرواستریپ پیشنهاد شده است. ابتدا سلول واحد متامتریال جهت رزونانس در فرکانس کاری 3/5 گیگاهرتز طراحی شده که نتایج حاصل از شبیه سازی سلول واحد فراماده نشان دهنده جذب 99% در فرکانس مرکزی می باشد. آنتن های پچ برای فرکانس کاری 3/5 گیگاهرتز طراحی شده و کوپلینگ متقابل بین المان های آن ثبت شده است. با قرار دادن یک آرایه 6×1 از فراماده در قسمت فوقانی المان های آنتن پچ، ساختار مجددا توسط نرم افزار CST شبیه سازی شده است. نتایج حاصل از شبیه سازی و انداره گیری عملی نشان می دهد که با بکارگیری آرایه فراماده، کوپلینگ متقابل به میزان 23 دسی بل کاهش یافته و به منفی 45 دسی بل می رسد. این میزان کاهش کوپلینگ متقابل که با جانمایی دقیق فرامواد صورت گرفته، تاثیری بر فرکانس کاری و خواص تشعشعی آنتن نداشته و نتایج شبیه سازی و ساخت به طور کامل مطابقت دارد. از مقایسه نتایج این مقاله و مقالات مشابه می توان به این نکته رسید که تنها با قرار گیری 6 عدد سلول واحد فراماده آن هم در قسمت فوقانی آنتن ها (بر خلاف اغلب مقالات که فرامواد مابین المان های آنتن قرار دارد) مقدار کوپلینگ متقابل کاهش فوق العاده ای یافته است.