پیاده سازی مقایسه کننده با ورودی چهارسطحی و خروجی سه سطحی بر پایه تکنولوژی ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی

با توجه به بزرگ شدن داده های پردازشی، سیستم های پردازشی باید طوری طراحی شوند که فضای کمتری را اشغال کنند. بزرگ شدن سیستم های پردازشی، باعث رشد اندازه داده ها شده و از طرفی مشکلات کوچک سازی ترانزیستورهای اثر میدانی فلز عایق نیمه هادی طراحان مدارات پردازشی را با مشکلات عدیده ای مواجه کرده است. ایده جایگزینی مدارهای پردازشی باینری با مدارهای پردازشی چندسطحی باعث کاهش اتصالات بین سیستم ها و فضای مصرفی می شود. چون پیاده سازی مدارهای پردازشی چندسطحی با تکنولوژی ترانزیستورهای اثر میدانی فلز عایق نیمه هادی، بسیار پیچیده و مشکل آفرین است، جایگزین مناسب برای ترانزیستور اثر میدانی فلز عایق نیمه هادی، فناوری ترانزیستورهای نانولوله کربنی است که مزایای بسیاری همانند امکان ساخت ترانزیستور با ولتاژ آستانه متفاوت دارد و چالش های طراحی را در پیاده سازی سیستم های چندسطحی کاهش می دهد. این مقاله، ساختار سطح ترانزیستوری مقایسه کننده های چهارسطحی تک رقمی و چندرقمیو مدارهای سطح ترانزیستوری به همراه تکنیک های مداری را ارائه می کند. نتایج شبیه سازی نیز نشان می دهند که مقدار تاخیر انتشار و توان مصرفی در مقایسه کننده تک رقمی چهار سطحی به ترتیب 3/17 پیکوثانیه و 59/4 میکرووات و شاخص PDPاین مقایسه کننده 2/79 آتوژول است. همه نتایج شبیه سازی مقایسه کننده های چهارسطحی در این مقاله با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی و تکنولوژی 32 نانومتر در نرم افزار HSPICEبه دست آمده است.