تعیین مدل سینتیکی جذب سطحی و مکانیسم انتقال جرم در فرایند حذف S2H به وسیله ی سیلیکاژل آغشته به حلال NMP در دمایoC 25 و فشار MPa425/0

یکی از روش های موفق در حذف مقدارهای S 2H از گاز طبیعی، تلفیق فرایندهای جذب (Absorption) و جذب سطحی (Adsorption) است. برای نیل به این هدف، از ذره های سیلیکاژل آغشته به حلال NMP استفاده می شود که دارای قدرت جذب بسیار بالایی هستند. با استفاده از نتیجه های آزمایشی جذب S 2H در این گونه جاذبها (آزمایشهای انجام شده توسط Zhou و همکاران]7[) در این مقاله سعی شده تا نحوه توزیع NMP در درون حفره ها و مکانیسم انتقال جرم در درون حفره هایی که حاوی سیال دو فازی گاز- NMP هستند، تعیین شود. در این تحقیق، نشان داده شده که NMP به صورت یک سیال غیر خیس کننده در درون حفره ها قرار میگیرد. مکانیسم کنترل کننده انتقال جرم نیز نفوذ S 2H در درون حفره ها (Pore Diffusion) تعیین شد. مدل ساختاری-سینتیکی ذکر شده میتواند ظرفیت بالای جذب S 2H در این جاذبها را به خوبی توضیح دهد. همچنین رفتار متفاوت و معکوس بستر جذب در مورد جاذبه ایی با NMP کمتر از 10 درصد وزنی نیز توجیه شده است.