مطالعه کاربردی میدان مغناطیسی چگال تهی از جرم جهت طراحی مکانیزم جدید تولید پرتو ایکس

این طرح با هدف شناسایی کلیه پارامترهای موثر بر میدان مغناطیسی محدود جهت کنترل آنها به منظور افزایش بازدهی تولید، گسترش کاربرد، سهولت عملکرد و کاهش هزینه های تولید بوده است.
برای اجرای این تحقیق محاسبه دقیق اجزای تشکیل دهنده میدان مغناطیسی چگال صورت پذیرفته و به شرح زیر به اجرا درآمد: یک محفظه خلا 02/0 میلی متر جیوه که در داخل آن سیم لوله های هم محور لایه به لایه قرار دارند تشکیل شده، سیم لوله ها از خارج با قطر 32 cm و قطر سیم 6 mm شروع شده و تا 9 لایه ادامه یافته، داخلی ترین لایه قطر سیم لوله 1 mm و قطر سیمهایش 0.2 mm است، سیم لوله ها در طول هر 5 cm منقطع شده و جمع طولشان 40 cm است، فاصله بین دو شکاف ده برابر قطر سیمهاست.
الکترون ها از شتابدهنده در دو جهت E و F وارد محور مرکزی سیم لوله ها (سیم لوله یک میلیمتری داخلی) شده و قطب S میدان سیم لوله ها در سمت شتابدهنده قرار می گیرد، انحراف 180 درجه ای الکترون ها در مقابله با F موجب از دست دادن قسمت مهمی از انرژی جنبشی آنها بصورت فوتون های ایکس می گردد.
نتیجه گیری و توصیه ها: اشعه تولید شده بصورت 4 p r2 منتشر شده و مقدار پرتو توسط دزیمترهایی که در فواصل خالی طولی سیم پیچ ها قرار داشت اندازه گیری شد. مقدار پرتوایکس بطور خالص از اختلاف مقادیر اشعه ایکس و الکترون های پراکنده بدون فیلتراسیون الکترون ها با مقادیر اندازه گیری شده با فیلتراسیون الکترون ها بدست آمد.