تعیین چگالی بارهای سطحی Si در ساختارهای دور آلائیده معکوس p-Si/SiGe/Si
نویسنده:
چکیده:
در این مقاله چگالی بارهای سطحی سیلیکان در ساختارهای دور آلائیده معکوس p-Si/Si0.81Ge0.19/Si ارزیابی شده است. وجود یک چاه کوانتمی (QW) در محل لایه آلیاژی (SiGe) نوار ظرفیت این ساختار باعت می شود که در نزدیکی میان گاه پایین (معکوس) Si/SiGe/Si یک گاز حفره ای دو بعدی (2DHG) تشکیل شود. چگالی سطحی گاز حفره ای دو بعدی nh، که به درصد Ge در آلیاژ و سایر پارامترهای ساختار بستگی دارد، شدیدا متاثر از چگالی بارهای سطحی nsur روی سطح لایه Si پوششی است و با افزایش ضخامت لایه پوششی، افزایش می یابد. از مقایسه نتایج تجربی و محاسبات نظری نتیجه می شود که با کاهش ضخامت لایه پوششی (400-150nm)، چگالی بارهای سطحی nsur در ساختارهای مورد مطالعه افزایش می یابد و تغییرات آن در گستره [(1-2.5)±0.2] 1011/cm2 ارزیابی می شود. بعلاوه فاصله تراز فرمی از لبه نوار ظرفیت در سطح آزاد Si برابر با DEFV = (0.5±0.05)eV برآورد می شود.
کلیدواژگان:
زبان:
فارسی
در صفحه:
1
لینک کوتاه:
magiran.com/p753213
دانلود و مطالعه متن این مقاله با یکی از روشهای زیر امکان پذیر است:
اشتراک شخصی
با عضویت و پرداخت آنلاین حق اشتراک یکساله به مبلغ 1,390,000ريال میتوانید 70 عنوان مطلب دانلود کنید!
اشتراک سازمانی
به کتابخانه دانشگاه یا محل کار خود پیشنهاد کنید تا اشتراک سازمانی این پایگاه را برای دسترسی نامحدود همه کاربران به متن مطالب تهیه نمایند!
توجه!
- حق عضویت دریافتی صرف حمایت از نشریات عضو و نگهداری، تکمیل و توسعه مگیران میشود.
- پرداخت حق اشتراک و دانلود مقالات اجازه بازنشر آن در سایر رسانههای چاپی و دیجیتال را به کاربر نمیدهد.
In order to view content subscription is required
Personal subscription
Subscribe magiran.com for 70 € euros via PayPal and download 70 articles during a year.
Organization subscription
Please contact us to subscribe your university or library for unlimited access!