بررسی نظری خواص ترابری الکتریکی تحت تاثیر «پدیده فوتورسانش پایدار PPC» در ساختار ناهمگون AlxGa1 _ xN/AlN/GaN

در این مقاله به مطالعه نظری وابستگی تحرک پذیری الکترونی به تراکم گاز الکترون دو بعدی 2DEG در ساختار ناهمگون AlxGa1-xN/GaN 25/0 و 15/0x تحت تاثیر پدیده فوتورسانش پایدار در دمای پایین K 6/1 پرداخته ایم. نتایج تحلیل ما مبتنی بر انواع سازوکار های پراکندگی و قاعده ماتیسن حاکی از آن است که در تراکم های الکترونی پایین، پراکندگی دررفتگی ها سهم غالب را در کنترل تحرک گاز الکترون دو بعدی برای هر دو نمونه بر عهده داشته اند؛ اما در تراکم های بالاتر، نه تنها دررفتگی ها بلکه سازوکار های «ناخالصی های بخشنده های از راه دور» و «ناهمواری های سطح مشترک» نیز بر تحرک الکترون ها تاثیر می گذارند. محاسبات ما همچنین نشان می دهد که با کاهش کسر مولی آلومینیوم در لایه سد AlGaN، تراکم دررفتگی ها کاهش یافته و منجر به تحرک پذیری الکترونی بالاتری شده است.