ارائه ساختار نوین ترانزیستور اثر میدان سیلیسیم روی عایق دو گیتی با پنجره اکسید در درین گسترده شده به منظور کاربرد در تکنولوژی نانو

ترانزیستورهای اثر میدان فلز-اکسید-نیمه هادی (MOSFET (ماسفت)) با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق (SOI) به طور گسترده در مدارات مجتمع به کار می روند. بنابراین، دست یابی به ترانزیستورهای ماسفت سیلیسیم روی عایق در ابعاد بسیار کوچک نیازی مهم برای توسعه صنعت الکترونیک به حساب می آید. در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق دو گیتی جدید در مقیاس نانو پیشنهاد می گردد که در آن یک پنجره از اکسید سیلیسیم در ناحیه گستردگی درین بین درین و کانال و فصل مشترک اکسید گیت پشتی قرار گرفته است. این ساختار جدید (OW-DG (Oxide Window Double Gate نامیده می شود. شبیه سازی های انجام شده توسط شبیه ساز ATLAS نشان می دهد که ترانزیستور جدید، جریان حالت خاموش، خازن های پارازیتی و دمای الکترون را در مقایسه با ساختار متداول به طور چشم گیری کاهش می دهد.