تزریق نانو ذرات مغناطیسی FeTiO3 در لایه های نشردهنده نور و انتقال دهنده حفره در دیودهای نورگسیل آلی و مطالعه اثر آن بر عملکرد دیود

در این پژوهش به بررسی تاثیر تزریق نانو ذرات مغناطیسی FeTiO3 ، درون لایه های نورگسیل و انتقال دهنده حفره، بر عملکرد دیود نورگسیل آلی پرداخته شده است. بدین منظور، ابتدا کمپلکس آلی-فلزی روی Znq2 به عنوان ماده نشر دهنده نور در آزمایشگاه سنتز شد. سپس دیودهایی متشکل از ساختار ITO/PEDOT:PSS/Znq2/PBD/Al، ITO/PEDOT:PSS:FeTiO3NPs/Znq2/PBD/Al وITO/PEDOT:PSS/Znq2:FeTiO3NPs /PBD/Al تهیه گردید. لایه های انتقال دهنده حفره، انتقال دهنده الکترون و نشر دهنده نور با استفاده از روش لایه نشانی چرخشی و لایه کاتد Al با روش لایه نشانی تبخیر حرارتی لایه نشانی شدند. نمونه های تهیه شده با استفاده از آنالیزهای الکترولومینسانس و ولتاژ-چگالی جریان مورد بررسی قرار گرفتند. برای مشخصه یابی کمپلکس سنتز شده و دیودهای ساخته شده از آنالیزهای پراش پرتو ایکس XRD، طیف سنجی UV-Vis ، فوتولومینسانس PL و سیکلو ولتامتری CV استفاده شد. نتایج نشان داد که تزریق نانو ذرات مغناطیسی FeTiO3 در لایه ی نورگسیل باعث کاهش 75 درصدی در عملکرد نورتابی دیود شده است. همچنین تزریق این نانوذرات در لایه ی انتقال دهنده حفره عملکرد نورتابی دیود را تا 30 درصد افزایش داده و باعث کاهش ولتاژ آستانه در دیود شده است.