بررسی ویژگی های الکترونی و اپتیکی ترکیبات در حالت سطح در راستای (001) با استفاده از نظریه تابعی چگالی

در این مقاله خواص الکترونی و اپتیکی ترکیبات کلکوژنید در حالت سطح در راستای (001) مورد مطالعه قرار گرفته است. محاسبات با استفاده از روش شبه پتانسیل در چارچوب نظریه تابعی چگالی (DFT) با استفاده از نرم افزار کوانتوم اسپرسو با تقریب شیب تعمیم یافته (GGA) انجام شده است. گاف نواری ترکیبات CuSbX2(X=Se،S) در حالت انبوهه به ترتیب 80/0 و93/0 الکترون ولت است اما در حالت سطح این ترکیبات فاقد گاف نواری هستند که علت آن پیوندهای آویزان سطحی هستند که گاف نواری را پوشانده است. محاسبات نشان داد که ترکیب CuSbTe2 در هر دو حالت انبوهه وسطح فلز است. همچنین انرژی سطح، تابع کار، چگالی حالت ها و ویژگی های اپتیکی درحالت سطح در راستای (001) با سه برابر تکرار لایه ها و خلا 15 آنگستروم محاسبه شده است.