مقایسه خواص اپتوالکترونیکی لایه های نانوساختارSnO2، In2O3 و ITO جهت حسگری اتانول

چکیده در این مقاله لایه های نازکIn2O3 ، SnO2 و ITO SnO2 10 In2O3 90 با استفاده از روش تبخیر حرارتی روی زیر لایه های شیشه انباشت شدند. ضخامت و آهنگ انباشت برای همه نمونه ها به ترتیب nm 220 و nm/s 1/0 انتخاب شد. خواص اپتیکی لایه ها در دمای بازپخت °C300 مورد بررسی قرار گرفت. در این مطالعه همه نمونه های بازپخت شده عبور بالایی در طیف نور مرئی از خود نشان دادند. بیش ترین عبور 91 را لایه بازپختی SnO2 نشان داد. ضرایب شکست نمونه های مختلف در طول موج 550 نانومتر در محدوده 88/1 تا 92/1 به دست آمد. هم چنین با افزودن ناخالصی SnO2 به In2O3 خواص فیزیکی این لایه ها مورد بررسی قرار گرفت. نتایج طیف پراش ایکس نشان می دهد لایه های In2O3 و ITO دارای ساختار بس بلورین بوده و در ساختار مکعبی متبلور می شوند. در نهایت به منظور مقایسه حساسیت لایه های SnO2، In2O3 و ITO نسبت به آشکارسازی بخار اتانول، به عنوان یکی از کاربرد مواد نیم رسانای شفاف پرداخته شده است. نتایج حساسیت بالای SnO2 در مقایسه با In2O3 و ITO را برای آشکارسازی بخار اتانول نشان می دهد.