بررسی تاثیر مقادیر ذرات B4C بر سختی و مقاومت به سایش کامپوزیت Al-SiC-B4C ایجاد شده به روش GTAW بر آلیاژ AA332

در تحقیق حاضر کامپوزیت سطحی Al-SiC-B4C با مقادیر مختلف B4C بر روی سطح آلیاژ AA332 پیش نشت شد. نمونه ها به وسیله فرآیند GTAW ذوب و کامپوزیت سازی سطحی شدند. بررسی های ریزساختاری به وسیله میکروسکوپ نوری (OM) و الکترونی روبشی (SEM) نشان دادند که فازهای تقویت کننده SiC و B4C تمایل بالایی برای قرارگیری بر روی مرزدانه ها و در مجاورت آن ها دارند. نتایج نشان داد که با افزایش میزان B4C میل به تشکیل Al3B4C و Al4C3 افزایش می یابد. با افزایش میزان B4C سختی لایه کامپوزیتی تا 182 ویکرز، بیش از دو برابر افزایش یافت. برخلاف سختی، مقاومت به سایش با افزایش میزان B4C رفتار متفاوتی نشان داد. نتایج آزمون سایش پین بر روی دیسک نشان داد که وجود B4C در هر صورت، منجر به کاهش نرخ سایش می گردد؛ اما پس از طی مسافت 1000 متر با افزایش میزان B4C نرخ سایش افزایش یافت. با بررسی سطوح فرسوده توسط SEM مشخص شد که مکانیزم سایشی با افزایش B4C از چسبان به خراشان تغییر می کند.