تاثیر اندازه و موقعیت نقص روی اثر الکترواپتیک مربعی نقطه کوانتومی کروی GaN/AlGaN

در این مقاله، یک نقطه کوانتومی کروی جدید برای افزایش و مدیریت پذیرفتاری نوری غیرخطی مرتبه سوم اثر الکترو اپتیک مربعی پیشنهاد شده است. این نانوساختار شامل پوسته نقص احاطه شده توسط دو چاه پتانسیل هست. اندازه نقطه کوانتومی، ضخامت، موقعیت و پتانسیل پوسته ی نقص تاثیر زیادی روی پذیرفتاری نوری غیرخطی مرتبه سوم دارند. با حل عددی معادله شرودینگر در تقریب جرم موثر، پذیرفتاری نوری غیرخطی مرتبه سوم محاسبه شد. نتایج نشان می دهند با افزایش اندازه نقطه ی کوانتومی پذیرفتاری نوری غیرخطی مرتبه سوم افزایش می یابد. همچنین با افزایش ضخامت پوسته ی نقص پذیرفتاری نوری غیرخطی مرتبه سوم افزایش و طول موج تشدید انتقال به سرخ پیدا می کند. بیشترین مقدار پذیرفتاری نوری غیرخطی مرتبه سوم وقتی قابل حصول هست که در وضعیت متقارن موقعیت پوسته ی نقص، پتانسیل نقص برابر پتانسیل پله شود.