افزایش چسبندگی سطحی لایه نازک اکسید گرافن روی بستر سیلیکون آب گریز

در این تحقیق، لایه های اکسید گرافن باردار توسط روش رایج اصلاح شده هامر ، سنتز گردید. لایه نازک اکسید گرافن به روش لایه نشانی الکتروفورتیک توسط سوسپانسیون کلوئیدی آبی اکسید گرافن روی زیرلایه سیلیکون لایه نشانی شد. جهت بهبود میزان چسبندگی لایه های اکسید گرافن روی سطح آب گریز سیلیکون، عملیات اصلاح سطح زیرلایه توسط ذرات نقره انجام گرفت. فرآیند احیا اکسیدگرافن لایه نشانی شده در دمای oC400 تحت جریان آرگون انجام شد. الگوی پراش اشعه ی ایکس عامل دار شدن لایه های گرافیت با گروه های عاملی اکسیژنی و افزایش موفقیت آمیز فاصله بین صفحه ای توسط روش هامر اصلاح شده را تایید می کند. تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی از نمونه لایه نشانی شده روی بستر سیلکون اصلاح نشده، لایه نشانی غیر یکنواخت و جزئی اکسیدگرافن را نشان می دهد. بهبود میزان چسبندگی و لایه نشانی یکنواخت لایه نازک اکسیدگرافن پس از اصلاح سطح سیلیکون توسط ذرات نقره حاصل شد. طیف سنجی رامان حاصل از این نمونه شکل گیری لایه نازک اکسیدگرافن احیا شده را تایید می کند.