مدل سازی و شبیه سازی اثر دمای زیر لایه بر واکنش های سطحی در رشد فیلم نازک GaAs به روش تبخیر شیمیایی

نوع مقاله:
مقاله پژوهشی/اصیل (ترویجی)
چکیده:
در این کار، شبیه سازی رشد لایه ی نازکGaAs به کمک روش تبخیر شیمیایی در محیط نرم افزار COMSOL Multiphysics انجام گردیده است. به منظور مقایسه نتایج شبیه سازی با نتایج تجربی، تمامی جزییات شبیه سازی و واکنش های مربوط به تشکیل GaAs بر مبنای یک آزمایش تجربی و نتایج آن صورت گرفت.جزئیات مراحل تعریف واکنش ها، طراحی محفظه، مطالعه روابط شیمیایی و ترمودینامیکی مربوطه و تحلیل مش ها شرح داده شد. پارامتر هایی از قبیل سرعت شار بخار، فشار آن و توزیع دما درون محفظه لایه نشانی مورد بررسی قرار گرفته و به منظور مطالعه و تحلیل، نتایج آن به صورت نمودارهای مناسب ارائه گردید. همچنین وابستگی دمای زیر لایه روی نرخ رشد ماده و الگوی توزیع جرم در نمونه لایه نازک بررسی گردید. با مقایسه ی نتایج شبیه سازی و داده های آزمایشگاهی، علاوه بر بررسی دقت مدل ارائه شده می توان توصیفی مناسب از ارتباط بین نرخ تشکیل لایه با دمای زیر لایه را یافت.
زبان:
فارسی
صفحات:
5 تا 22
لینک کوتاه:
magiran.com/p1867549 
دانلود و مطالعه متن این مقاله با یکی از روشهای زیر امکان پذیر است:
اشتراک شخصی
با عضویت و پرداخت آنلاین حق اشتراک یک‌ساله به مبلغ 990,000ريال می‌توانید 70 عنوان مطلب دانلود کنید!
اشتراک سازمانی
به کتابخانه دانشگاه یا محل کار خود پیشنهاد کنید تا اشتراک سازمانی این پایگاه را برای دسترسی نامحدود همه کاربران به متن مطالب تهیه نمایند!
توجه!
  • حق عضویت دریافتی صرف حمایت از نشریات عضو و نگهداری، تکمیل و توسعه مگیران می‌شود.
  • پرداخت حق اشتراک و دانلود مقالات اجازه بازنشر آن در سایر رسانه‌های چاپی و دیجیتال را به کاربر نمی‌دهد.
دسترسی سراسری کاربران دانشگاه پیام نور!
اعضای هیئت علمی و دانشجویان دانشگاه پیام نور در سراسر کشور، در صورت ثبت نام با ایمیل دانشگاهی، تا پایان فروردین ماه 1403 به مقالات سایت دسترسی خواهند داشت!
In order to view content subscription is required

Personal subscription
Subscribe magiran.com for 50 € euros via PayPal and download 70 articles during a year.
Organization subscription
Please contact us to subscribe your university or library for unlimited access!