مطالعه DFT اثرمیدان الکتریکی بر جذب برخی ترکیب های نیتروآروماتیک در سطح نانولوله روی اکسید

در این پژوهش، نظریه تابعیت چگالی (DFT) برای مطالعه فرایند جذب مولکول های 2و4و6 تری نیتروتولوئن، 2و4 دی نیتروتولوئن، تتریل و نیتروبنزن در سطح نانولوله روی اکسید (0‚8) و بررسی اثر میدان الکتریکی خارجی بر فرایند جذب آن ها مورد استفاده قرار گرفته است. داده های به دست آمده از محاسبه ها نشان می دهد که این مولکول ها به ترتیب با انرژی جذب 7/61-، 54-، 7/110- و 7/61- کیلوژول بر مول در سطح نانولوله جذب شده و سبب کاهش بیش از 5/0 الکترون ولت در شکاف انرژی نانولوله می شوند. با توجه به این نتیجه ها افزایش رسانایی سامانه که در نتیجه کاهش شکاف انرژی نانولوله طی فرایند جذب ایجاد می شود، می تواند به عنوان عاملی برای شناسایی مولکول های نیتروآروماتیک مورد مطالعه استفاده شود. با اعمال میدان الکتریکی بر ساختارهای جذبی مشخص می شود که با تنظیم شدت میدان الکتریکی در جهت مناسب می توان به مقدارهای مناسبی از انرژی جذب و شکاف انرژی در فرایند جذب این مولکول ها در سطح نانولوله روی اکسید دست یافت.