تاثیر گیت دوم بر عملکرد فرکانس بالای ترانزیستور با تحرک الکترونی بالا AlGaN/GaN
نویسنده:
چکیده:
ترانزیستورهای با تحرک الکترونی بالا (HEMT) افزاره های الکترونیکی مهمی برای ساختارهای سرعت بالا به شمار می روند. در این مقاله، به بررسی مشخصه های الکتریکی ساختار AlGaN/GaN HEMT پرداخته شده و میزان تاثیر گیت دوم براثرات کانال کوتاه و عملکرد فرکانس بالای افزاره مورد تحلیل و بررسی قرار گرفته است. تمامی شبیه سازی ها توسط نرم افزار دو بعدی سیلواکو انجام گرفته است. مقدار ولتاژ آستانه، جریان حالت روشن، حالت خاموش و شیب زیر آستانه بررسی شد. مشخص گردید با افزایش تعداد گیت اثرات کانال کوتاه به دلیل افزایش کنترل گیت بر کانال به طور قابل ملاحظه ای کاهش می یابد. همچنین پارامترهای فرکانس بالا شامل ترارسانایی، خازن گیت و فرکانس قطع بالا محاسبه شد. نتایج بدست آمده نشان می دهد فرکانس قطع بالا در افزاره دو گیتی (DG) بیشتر از فرکانس قطع بالا در افزاره یک گیتی ( SG) است. لذا ساختار دو گیتی برای کاربردهای فرکانس بالا افزاره مناسب تری می باشد.
کلیدواژگان:
زبان:
فارسی
انتشار در:
صفحات:
42 تا 45
لینک کوتاه:
magiran.com/p1946096
دانلود و مطالعه متن این مقاله با یکی از روشهای زیر امکان پذیر است:
اشتراک شخصی
با عضویت و پرداخت آنلاین حق اشتراک یکساله به مبلغ 990,000ريال میتوانید 70 عنوان مطلب دانلود کنید!
اشتراک سازمانی
به کتابخانه دانشگاه یا محل کار خود پیشنهاد کنید تا اشتراک سازمانی این پایگاه را برای دسترسی نامحدود همه کاربران به متن مطالب تهیه نمایند!
توجه!
- حق عضویت دریافتی صرف حمایت از نشریات عضو و نگهداری، تکمیل و توسعه مگیران میشود.
- پرداخت حق اشتراک و دانلود مقالات اجازه بازنشر آن در سایر رسانههای چاپی و دیجیتال را به کاربر نمیدهد.
دسترسی سراسری کاربران دانشگاه پیام نور!
اعضای هیئت علمی و دانشجویان دانشگاه پیام نور در سراسر کشور، در صورت ثبت نام با ایمیل دانشگاهی، تا پایان فروردین ماه 1403 به مقالات سایت دسترسی خواهند داشت!
In order to view content subscription is required
Personal subscription
Subscribe magiran.com for 50 € euros via PayPal and download 70 articles during a year.
Organization subscription
Please contact us to subscribe your university or library for unlimited access!