Self-heating effect modeling of a carbon nanotube-based fieldeffect transistor (CNTFET)
Author(s):
Article Type:
Research/Original Article (دارای رتبه معتبر)
Abstract:
We present the design and simulation of a single-walled carbon nanotube(SWCNT)-based field-effect transistor (FET) using Silvaco TCAD. In this paper, theself-heating effect modeling of the CNT MOSFET structure is performed and comparedwith conventional MOSFET structure having same channel length. The numericalresults are presented to show the self-heating effect on the I–V characteristics of theCNT MOSFET and conventional MOSFET structures. Results from numericalsimulation show that the maximum temperature rise and the performance degradation ofthe CNT MOSFET are quite lower than that of the conventional MOSFET counterpart.These advantages are contributed by the good electrical and thermal properties of theSWCNTs. Therefore, SWCNT materials have a high capability for the development ofactive devices with low power dissipation and good reliability at high operatingtemperature.
Keywords:
Language:
English
Published:
Journal of Optoelectronical Nanostructures, Volume:4 Issue: 1, Winter 2019
Pages:
51 to 65
magiran.com/p1971721
دانلود و مطالعه متن این مقاله با یکی از روشهای زیر امکان پذیر است:
اشتراک شخصی
با عضویت و پرداخت آنلاین حق اشتراک یکساله به مبلغ 1,390,000ريال میتوانید 70 عنوان مطلب دانلود کنید!
اشتراک سازمانی
به کتابخانه دانشگاه یا محل کار خود پیشنهاد کنید تا اشتراک سازمانی این پایگاه را برای دسترسی نامحدود همه کاربران به متن مطالب تهیه نمایند!
توجه!
- حق عضویت دریافتی صرف حمایت از نشریات عضو و نگهداری، تکمیل و توسعه مگیران میشود.
- پرداخت حق اشتراک و دانلود مقالات اجازه بازنشر آن در سایر رسانههای چاپی و دیجیتال را به کاربر نمیدهد.
In order to view content subscription is required
Personal subscription
Subscribe magiran.com for 70 € euros via PayPal and download 70 articles during a year.
Organization subscription
Please contact us to subscribe your university or library for unlimited access!