فهرست مطالب نویسنده:
a. dastfan
-
اندوکتانس های پراکندگی بسته بندی یک ماژول قدرت سبب بروز مشکلات فراوانی مخصوصا در حوزه سازگاری الکترومغناطیسی (EMC) می شود. تغییرات ناگهانی بزرگ در ولتاژ و جریان ناشی از اندوکتانس/خازن نزدیک سوییچ در فرایند کلیدزنی، منبع اصلی تداخلات الکترومغناطیس (EMI) است. برای غلبه بر این مشکلات پارامترهای پراکندگی ماژول باید به طور دقیق و صحیح تعیین گردد. در این مقاله یک مدل دقیق با جزییات از یک ماژول IGBT تجاری با ساختار نیم پل ارایه شده است. این مدل شامل اندوکتانس های پراکندگی پایه ها، بوند وایرها، بسترهای DBC، و خازن های پراکندگی ماژول و خازنهای IGBTها است. روابط تحلیلی ساده شده ای جدیدی برای محاسبه مقادیر اندوکتانس ها و خازن های پراکندگی ارایه و با نتایج شبیه سازی در نرم افزار ANSYS Q3D مقایسه شده است. همچنین به منظور ارزیابی صحت مدل پیشنهادی، کلیه پارامترها به کمک یک روش استخراج پراکندگی براساس اندازه گیری دو-درگاهه حاصل شده اند. نتایج نشان از تطبیق قابل قبولی میان مقادیر اندازه گیری شده و مقادیر شبیه سازی شده است. در نهایت مدل پیشنهادی توسط اتصال دینامیکی فضای حالت در نرم افزار ANSYS Simplorer تحقق یافته و یک مدار تست دو-پالسه برای اعتبار سنجی مدل بکار گرفته شده است. با مقایسه شکل موج های جریان و ولتاژ شبیه سازی شده با نتایج حاصل از تست، قابلیت مدل پیشنهادی در شبیه سازی رفتار گذرایی سوییچ ها برای مطالعات EMC، به اثبات رسیده است.کلید واژگان: مدل با جزئیات IGBT، سازگاری الکترومغناطیسی، امپدانس پراکندگی، مدلسازی بر پایه ی اندازه گیری، شبیه سازی حالات گذرایی کلید زنیJournal of Operation and Automation in Power Engineering, Volume:10 Issue: 1, Spring 2022, PP 28 -39The parasitic parameters of an IGBT power module cause various problems, especially for electromagnetic compatibility (EMC) concerns. The high-variations in voltage and current produced by the inductances/capacitances near switches in the transient process are the main sources of high-frequency electromagnetic interference (EMI). To overcome the problems, the parasitic parameters of the module should be accurately characterized. In this paper, a precise detailed model of a commercial half-bridge IGBT module is presented. It includes the parasitic inductances of leads, bond wires, DBC plates, and the parasitic capacitances of the module and IGBTs. The new simplified analytical equations to calculate the partial inductance and parasitic capacitance are proposed and compared with ANSYS Q3D results. To evaluate the accuracy of the model, all the parameters are also derived from a two-port measurement-based parasitic extraction method. The results show an acceptable match between the simulated and experimental values. Finally, the proposed model is implemented by state-space dynamic coupling in ANSYS Simplorer circuit simulator, and a double-pulse test circuit is used to verify the model. By comparing the simulated current and voltage waveforms with experiment, it is proved that the proposed model is applicable to simulate the switching transients for EMC study.Keywords: Electromagnetic compatibility (EMC), IGBT detailed model, Measurement-based modeling, Parasitic Impedance, Switching transient simulation.
-
The penetration level of the photovoltaic (PV) systems is growing in the distribution networks throughout the world. On the other hand, the voltage drop across the feeder and the voltage imbalance are important issues in radial distribution networks. One of the most effective methods to deal with these problems is reactive power injection by PV-based multiple distributed static compensators (D-Statcom). Hence, a method based on the integral to droop line algorithm, which can regulate the reactive current injection for the voltage control by optimizing the droop coefficient and integral gain, has been proposed in this paper. Therefore, genetic algorithm (GA) is used to minimize the voltage deviation (VD) and voltage unbalanced factor (VUF). The proposed method has been simulated and evaluated on the typical low voltage (LV) 3-phase distribution network. The results indicate that the voltage profile along the feeder has been improved from a poor range to the acceptable range of 0.95 to 1.05, and therefore VUF’s reach to under 0.15. Hence, optimal use of PV-Dstatcom’s capacity and validity of the mentioned method are obtained.Keywords: Integral to Droop Line Controller, D-Statcom, Droop Coefficient, Integral Gain, GA Algorithm
بدانید!
- در این صفحه نام مورد نظر در اسامی نویسندگان مقالات جستجو میشود. ممکن است نتایج شامل مطالب نویسندگان هم نام و حتی در رشتههای مختلف باشد.
- همه مقالات ترجمه فارسی یا انگلیسی ندارند پس ممکن است مقالاتی باشند که نام نویسنده مورد نظر شما به صورت معادل فارسی یا انگلیسی آن درج شده باشد. در صفحه جستجوی پیشرفته میتوانید همزمان نام فارسی و انگلیسی نویسنده را درج نمایید.
- در صورتی که میخواهید جستجو را با شرایط متفاوت تکرار کنید به صفحه جستجوی پیشرفته مطالب نشریات مراجعه کنید.