low voltage
در نشریات گروه مواد و متالورژی-
The anodizing process of titanium (Ti) implants and their alloys improves their corrosion resistance and life service by naturally increasing the thickness of the passive oxide layer formed on the surface. Among the parameters that affect the properties of the anodized layer, voltage is a significant one due to the kinetic and thermodynamic processes. In this paper, commercial pure titanium (cp-Ti) coupons with the dimensions of 20 ×10 × 1 mm3 were used as the anode in 1 M sulfuric acid solution at different voltages of 3, 6, and 9 V, current intensity of 3 A, electrolyte temperature of 60 °C, and duration time of 30 s. The phase composition analysis, morphology, and corrosion behavior of the anodized Ti were examined by Grazing‐Incidence X‐Ray Diffraction (GIXRD), Field‐Emission Scanning Electron Microscopy (FESEM), and electrochemical impedance, respectively, in Simulated Body Fluid (SBF) at 37 °C. The results confirmed the formation of titanium oxide coating with a hexagonal structure. A smoother surface was obtained upon increasing the voltage up to 6 V. However, the surface became rougher with further voltage increase up to 9 V. The highest charge transfer resistance (37354 and 58127 ohm.cm-2) was achieved at 6 V after 1 and 24 hours of immersion in the SBF solution, representing 84 % and 2440 % increase, respectively, compared to the cp-Ti sample. The double layer helps prevent the formation of localized corrosion sites, such as pitting and crevice corrosion, which can be particularly damaging to Ti alloy as an implant in the human body. Although rising the voltage from 3 to 6 V resulted in a more hydrophobic surface (as shown by an increase in the contact angle from 63.8° to 74.1°), further voltage increase up to 9 V made the surface more hydrophilic than before.
Keywords: Anodizing, Low Voltage, Ti Alloy, Simulated Body Fluide Solution, Corrosion Behavior, Double Layer -
در این تحقیق برای اولین بار، افزودن اکسید مس به سیستم وریستور اکسید قلع دوپ شده با کبالت، کروم و نئوبیوم برای کاربرد ولتاژ پایین بررسی و با وریستور تجاری بر پایه اکسید روی مقایسه شد. الگوی پراش اشعه ایکس و تصاویر میکروسکوپ الکترونی در وریستور اکسید قلع نشان داد که وریستور اکسید قلع تکفاز است و اندازه دانه متوسط در آن 10 میکرومتر است در حالیکه وریستور اکسید روی چند فازی بوده و شامل اکسید روی، تیتانات روی و فاز غنی از بیسموت است و اندازه دانه متوسط آن 14 میکرومتر است. ولتاژ شکست، ضریب غیرخطی و جریان نشتی وریستور اکسید قلع به ترتیب برابر با 9/0 کیلو ولت بر سانتی متر، 35 و 7 میکرو آمپر است که نسبت به ضریب غیرخطی 24 و جریان نشتی 30 میکروآمپر در وریستور اکسید روی برای کاربرد ولتاژ پایین برتر است. مطالعه تطبیقی پدیده تباهی در این دو وریستور بیانگر عدم تباهی در وریستور اکسید قلع می باشد.
کلید واژگان: وریستور، اکسید قلع، اکسید روی، ولتاژ شکست پایین، ضریب غیرخطی، تباهیIn the present work، the addition of CuO to the (Co، Cr، Nb) -doped SnO2 varistor systems for low voltage applications has been studied and compared with a typical ZnO-based formulation. The SEM micrographs exhibit a single phase microstructure having an average grain size of 10μm for SnO2- based varistors whereas the ZnO-based varistors show a multiphase structure with larger grains. The breakdown voltage، nonlinear coefficient، and leakage current are 0. 9kV/cm، 35، 7µA، respectively for the SnO2 based varistors which compare favorably with those of the low voltage ZnO-based varistors. A comparative study of the degradation phenomenon in the two systems indicates a superior behavior for the SnO2-based varistors.Keywords: varistor, tin oxide, zinc oxide, low voltage, nonlinear coefficient, degradation -
In this paper, a new current-controlled conveyor (CCCII) in complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) technology is presented. It features, low supply voltage (±0.7), low power consumption, low circuit complexity, rail to rail operation and wide range parasitic resistance (Rx). The circuit has been successfully employed in a multifunction biquad filter. Simulation results by HSPICE show high performance of the circuit and confirm the validity of the proposed design technique.Keywords: Current Conveyor, Filter, Multifunction, Biquad, Low Voltage, MOS
- نتایج بر اساس تاریخ انتشار مرتب شدهاند.
- کلیدواژه مورد نظر شما تنها در فیلد کلیدواژگان مقالات جستجو شدهاست. به منظور حذف نتایج غیر مرتبط، جستجو تنها در مقالات مجلاتی انجام شده که با مجله ماخذ هم موضوع هستند.
- در صورتی که میخواهید جستجو را در همه موضوعات و با شرایط دیگر تکرار کنید به صفحه جستجوی پیشرفته مجلات مراجعه کنید.