رابطه جدید محاسبه مقاومت بدنه در ترانزیستورهای PD SOI MOSFET در مقیاس نانومتر

نویسنده:

آرش دقیقی ، اعظم عسکری خشویی

چکیده:
در این مقاله یک مدل جدید غیر خطی برای بهود محاسبه مقاومت بدنه ترانزیستورهای PD SOI در مقیاس 45 نانو متر ارائه می گردد. این مدل بر پایه شبیه سازی های سه بعدی سینگال کوچک ارزیابی می شود.
زبان:
فارسی
انتشار در:
فصلنامه روشهای هوشمند در صنعت برق، پیاپی 4 (زمستان 1389)
در صفحه:
17
لینک کوتاه:
https://www.magiran.com/p1107422