تهیه و شناسایی پوشش های نانوکامپوزیتی ضد الکتریسیته ساکن بر پایه سیلیکا با فرایند سل-ژل

در این پژوهش نانوکامپوزیت های هیبریدی ضدالکتریسیته ساکن بر پایه سیلیکا با روش سل ژل تهیه و روی بسترهای شیشه ای یا آلومینیمی به روش پوشش دهی غوطه وری اعمال وخواص مکانیکی و الکتریکی آنها بررسی شد. سل هیبریدی به وسیله واکنش آبکافت و تراکم پیش سازه های آلی - معدنی گلیسیدوکسی پروپیل تری متوکسی سیلان) (GPTMS و تترا متوکسی سیلان ((TMOS در مجاورت کاتالیزور اسیدی و اتیلن دی آمین (ED) به عنوان عامل شبکه ای کننده تهیه شد. از ترکیب آمینوسیلان N-(2-آمینواتیل)3- آمینوپروپیل تری متوکسی سیلان (AAPM) به عنوان عامل ضد الکتریسیته ساکن استفاده شد. خاصیت ضد الکتریسیته ساکن پوشش ها با اندازه گیری مقاومت الکتریکی سطحی آنها اثبات وبا استفاده از طیف سنجی زیر قرمز انتقال فوریه پیشرفت واکنش های آبکافت و تراکم بررسی شد. تصاویر میکروسکوپی الکترون پویشی ((SEM و الکترون عبوری (TEM) سطح نمونه ها موید داشتن پوششی یکنواخت و اندازه ذرات در حدود 100-30 نانومتر بود. همچنین استحکام چسبندگی با استفاده از روش برش متقاطع بررسی شد. این نوع پوشش های نانوکامپوزیتی ضد الکتریسیته ساکن را می توان در جاهایی که عدم تجمع بار اهمیت دارد مانند صفحه نمایشگر تلویزیون، قطعات الکترونیکی و غیره به کار برد.