طراحی و ساخت دستگاه اندازه گیری ضریب هدایت حرارتی و اندازه گیری ضریب هدایت حرارتی یک نمونه نانوسیال مغناطیسی

آگاهی از ضریب هدایت حرارتی نانوسیال ها با توجه به توسعه چشمگیر استفاده از آنها در پژوهش ها ضروری می باشد که با توجه به ناتوانی مدل های ارائه شده در اکثر موارد لازم است بصورت تجربی ضریب هدایت حرارتی اندازه گیری شود. در این مقاله طراحی و بررسی عملکرد دستگاه اندازه گیری ضریب هدایت حرارتی سیالات و نانوسیالات بدون استفاده از پل وتستون بررسی شده است. سابقا از روش پل وتستون برای ساخت سیم داغ کوتاه گذرا استفاده می شد که نیاز به سیستم الکترونیکی پیچیده و مصرف توان الکتریکی بالایی دارد. در این مقاله روش جدیدی ارائه شده است به طوری که نه جریان ثابت نگه داشته شده است و نه ولتاژ، بلکه از روش اندازه گیری مقاومت نسبی و از پراب مسی با روکش لاکی با قطر 40 میکرون استفاده شده است که به راحتی در دسترس است. بیشترین اختلاف نتایج این طراحی با مراجع، % 1/17 به دست آمده است. در این راستا تغییرات ضریب هدایت حرارتی سیال مغناطیسی به صورت تجربی بررسی شده است. سیالهای مغناطیسی دسته جدیدی از نانوسیالها هستند که تحت تاثیر میدان مغناطیسی قرار می گیرند و خواص انها دچار تغییر می شود. آزمایش ها برای سیال مغناطیسی Fe3O4 بر پایه آب با درصدهای حجمی مختلف مختلف انجام شده است.