Analysis on Radio-Frequency Modeling of Double- and Single-Gate Square-Shaped Extended Source TFETs
In this paper, the radio-frequency (RF) performances and small-signal parameters of double-gate (DG) square-shaped extended source tunneling field-effect transistors (TFETs) are investigated and compared with those of single-gate (SG) square-shaped extended source TFETs in terms of their cut-off and maximum oscillation frequencies and small-signal parameters. By using of a nonquasi-static (NQS) radio-frequency model, the smallsignal parameters have been extracted. The results show that the DG square-shaped extended source TFET has higher transconductance, cut-off and maximum oscillation frequencies than single gate structure. The modeled Yparameters are in close agreement with the extracted parameters for high frequency range up to the cut-off frequency. Results suggest that the DG square-shaped extended source TFETs seem to be the most optimal ones to replace MOSFET for ultralow power applications and RF devices.
Journal of Electrical Systems and Signals, Volume:3 Issue:1, 2016
روش‌های دسترسی به متن این مطلب
اشتراک شخصی
در سایت عضو شوید و هزینه اشتراک یک‌ساله سایت به مبلغ 300,000ريال را پرداخت کنید. همزمان با برقراری دوره اشتراک بسته دانلود 100 مطلب نیز برای شما فعال خواهد شد!
اشتراک سازمانی
به کتابخانه دانشگاه یا محل کار خود پیشنهاد کنید تا اشتراک سازمانی این پایگاه را برای دسترسی همه کاربران به متن مطالب خریداری نمایند!