A simple general-purpose I-V model for all operating modes of deep submicron MOSFETs
Author(s):
Abstract:
A simple general-purpose I-V model for all operating modes of deep-submicron MOSFETs is presented. Considering the most dominant short channel effects with simple equations including few extra parameters, a reasonable trade-off between simplicity and accuracy is established. To further improve the accuracy, model parameters are optimized over various channel widths and full range of operating voltages using a heuristic optimization algorithm. The obtained results demonstrate only 1.28% and 0.97% average error in IBM 0.13um CMOS technology for NMOS and PMOS, respectively, comparing with the accurate physically-based BSIM3 model. Furthermore, the tolerance of the model accuracy against parameters variation is investigated.
Keywords:
Language:
English
Published:
International Journal of Engineering, Volume:31 Issue: 2, Feb 2018
Pages:
270 to 255
magiran.com/p1795244
دانلود و مطالعه متن این مقاله با یکی از روشهای زیر امکان پذیر است:
اشتراک شخصی
با عضویت و پرداخت آنلاین حق اشتراک یکساله به مبلغ 1,390,000ريال میتوانید 70 عنوان مطلب دانلود کنید!
اشتراک سازمانی
به کتابخانه دانشگاه یا محل کار خود پیشنهاد کنید تا اشتراک سازمانی این پایگاه را برای دسترسی نامحدود همه کاربران به متن مطالب تهیه نمایند!
توجه!
- حق عضویت دریافتی صرف حمایت از نشریات عضو و نگهداری، تکمیل و توسعه مگیران میشود.
- پرداخت حق اشتراک و دانلود مقالات اجازه بازنشر آن در سایر رسانههای چاپی و دیجیتال را به کاربر نمیدهد.
دسترسی سراسری کاربران دانشگاه پیام نور!
اعضای هیئت علمی و دانشجویان دانشگاه پیام نور در سراسر کشور، در صورت ثبت نام با ایمیل دانشگاهی، تا پایان فروردین ماه 1403 به مقالات سایت دسترسی خواهند داشت!
In order to view content subscription is required
Personal subscription
Subscribe magiran.com for 70 € euros via PayPal and download 70 articles during a year.
Organization subscription
Please contact us to subscribe your university or library for unlimited access!