نقش نانوذرات اکسید آهن و میدان مغناطیسی بر آپوپتوز و بیان ژن Bax در هیپوکامپ رت متعاقب ایسکمی ریپرفیوژن

سکته مغزی دومین علت منجر به مرگ در جهان است. بعد از سکته مغزی، بسیاری از نورون ها در مرز ایسکمی متحمل آپوپتوز می شوند. هدف از این مطالعه بررسی اثرات نانوذرات اکسید آهن و میدان مغناطیسی در کاهش آپوپتوز بعد از ایسکمی ریپرفیوژن در مدل رت می باشد.
در این مطالعه تجربی، 50 سر رت نر نژاد ویستار(250-220 گرم) بطور تصادفی به 5 گروه ده تایی شامل کنترل، شم (ایسکمی ریپرفیوژن)، ایسکمی ریپرفیوژن+تحت تیمار با نانوذرات اکسید آهن (mg/kg 10)، ایسکمی ریپرفیوژن+میدان مغناطیسی(1 تسلا، 20 دقیقه روزانه به مدت 4 روز) و ایسکمی ریپرفیوژن+استفاده از نانو ذره اکسید آهن و میدان مغناطیسی به طور همزمان تقسیم شد. تزریق ها به روش درون صفاقی انجام شد. بعد از چهار روز، هیپوکامپ ها از مغز موش ها جهت مطالعه القاء آپوپتوزیس (به روش TUNEL) و تغییرات بیان ژن Bax (به روش Q-PCR)جدا شده و مورد بررسی قرار گرفت.
بعد از القاء ایسکمی ریپرفیوژن، تعداد سلول های تانل مثبت تحت تیمار با نانوذرات اکسید آهن (2±7) و یا میدان مغناطیسی (2±12) در طول 4 روز کاهش معنی داری نسبت به گروه ایسکمی ریپرفیوژن (5±27) نشان داد (0/01>p). اما تیمار همزمان با نانوذرات و میدان مغناطیسی (2/6±23) تفاوت معنی داری در مقایسه با گروه ایسکمی ریپرفیوژن (5±27) در طول 4 روز نشان نداد. بعلاوه بیان ژن Bax در گروه تحت تیمار با نانوذرات اکسید آهن (0/22±2/46) یا در گروه در معرض میدان مغناطیسی (0/33±3/28)به طور معنی داری(0/01>p) در مقایسه با مدل ایسکمی ریپرفیوژن (0/73±5/21) کاهش داشت.
با توجه به نتایج این مطالعه، به نظر می رسد که نانوذرات اکسیدآهن، همینطور میدان مغناطیسی دو روش موثر در کاهش آپوپتوز بعد از ایسکمی ریپرفیوژن باشند.