رسانش الکترونی نانو نوارهای گرافینی در حضور اثر آهارانوف بوهم

در این مقاله با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت بستگی قوی و هم چنین تقریب نزدیک ترین همسایه رسانش الکترونی نانو نوارهای گرافینی دسته صندلی و زیگزاگ متصل به دو هادی فلزی در حضور میدان مغناطیسی موضعی را بررسی می کنیم. نتایج نشان می دهد که وجود شار مغناطیسی در یک نانو نوار دسته صندلی، باعث کوچک تر شدن گاف ذاتی نانو نوار و ایجاد دو ضدتشدید در طیف رسانش می شود. در موردی که تمام حلقه ها حاوی شار مغناطیسی یک نواخت باشند، قسمتی از ناحیه تشدیدی به ناحیه تونل زنی تبدیل شده که نشان دهنده گاف انرژی جدیدی در طیف رسانش است. هم چنین در یک نانو نوار زیگزاگ که به طور ترانس به دو هادی ساده متصل است، در غیاب میدان مغناطیسی چند تشدید فانو در طیف رسانش آن قابل مشاهده است. شار مغناطیسی می تواند آن ها را از بین برده و ضدتشدیدهای جدیدی ایجاد کند.