بررسی اثر آلایش ایندیوم بر خواص ساختاری و نوری لایه های نازک سولفید قلع تهیه شده با روش الکتروانباشت

با استفاده از روش رسوب الکتروشیمیایی، لایه های نازک سولفید قلع (SnS) خالص و آلایش یافته با ایندیوم از یک محلول آبی تهیه شدند. دمای حمام، زمان لایه نشانی، پتانسیل انباشت لایه و pH به ترتیب °C 60، 30 دقیقه، V 1- و 1/2 بودند. لایه های نازک تهیه شده با استفاده از روش های پراش پرتو X (XRD)، میکروسکوپ الکترونی عبوری (FESEM)، نورتابناکی (PL) و طیف نگاری UV-vis مشخصه یابی شدند. الگوهای XRD نشان دادند که آلایش ایندیوم، منجر به کاهش کیفیت بلوری و ریزتر شدن اندازه بلورها می گردد. تصاویر FESEM نشان دادند که مورفولوژی لایه های نازک دانه-شکل بوده و ساختارهایی در مقیاس میکرو/نانومتری وجود داشت. نتیجه آزمایش فوتولومینوساناس (PL) نشان داد که در اثر آلایش ایندیوم یک قله نشری جدیدی در محدوده نشر نور نارنجی ایجاد می شود. آنالیز طیف نگاری UV-vis نشان داد که ویژگی جذب نور لایه های نازک SnS پس از آلایش ایندیوم بهبود یافته و انرژی پهنای باند لایه های SnS خالص از eV 45/1 به eV 40/1 کاهش یافت. بنابراین، کلیه نتایج نشان دهنده نقش کلیدی آلاینده ایندیوم بر خواص ساختاری و نوری لایه های نازک SnS است.