بررسی خواص نوری گذار مقید به پیوسته درون نواری نقطه ی کوانتمی مخروطی شکل InAs/GaAs همراه با لایه خیس: تحت اعمال میدان های الکتریکی و مغناطیسی

ددر این مقاله، اثر میدان های الکتریکی و مغناطیسی بر خواص نوری نفاط کوانتمی مخروطی شکل InAs/GaAs همراه با لایه خیس بررسی شده است. ابتدا با استفاده از روش محاسباتی اجزای محدود و بهره گیری از تقریب جرم موثر، معادله شرودینگر برای نقطه کوانتمی مخروطی- شکل همراه با لایه خیس حل شد و توابع پوش، ترازهای انرژی حالت پایه و تراز لایه خیس به دست آمدند. سپس با استفاده از توابع پوش الکترون، دوقطبی های گذار محاسبه شدند و وابستگی آن ها به میدان های الکتریکی ومغناطیسی مشخص شدند و در نهایت به بررسی خواص نوری پرداخته شد. با اعمال میدان الکتریکی و مغناطیسی در راستای رشد نقطه کوانتومی محدودیت کوانتومی الکترون را می توان کنترل کرد. به علت وابستگی دوقطبی های گذار به حضور میدان، مقایسه نتایج نشان می دهد که با افزایش میدان مغناطیسی قله های ضریب جذب و شکست خطی وغیر خطی بلندتر و به سمت طول موج های کوتاه تر می رود. در حالیکه با افزایش میدان الکتریکی تغییرات جزیی در جابه جایی قله های ضریب جذب و شکست خطی وغیر خطی، به سمت طول موج های بلند تر قابل مشاهده است.