افزایش پایداری سلول های خورشیدی با استفاده از لایه های جاذب پروسکایتی CH3NH3PbI3 آلاییده با برم

ترکیب CH3NH3PbI3 یکی از معروف ترین و پرکاربردترین ترکیبات پروسکایتی هالیدی بر پایه سرب است که در سلول های خورشیدی پرووسکایتی استفاده می شود. یکی از راه های مقابله با مساله ناپایداری این ساختار پروسکایتی در شرایط معمولی، آلایش برم در این ترکیب است. در این کار، ضمن بررسی ویژگی های ساختاری و نوری لایه های جاذب CH3NH3PbI3 آلاییده با برم (با نسبت های مولی برم به ید 1:0، 3:1، 2:1، 1:1، 1:2، 0:1) که به روش دومرحله ای چرخشی- چرخشی تهیه شدند، پارامترهای فوتوولتایی سلول های ساخته شده برپایه این لایه های جاذب نیز اندازه گیری و تحلیل شدند. تغییرات مقادیر پارامترهای فوتوولتایی در مدت 162 روز از ساخت سلول ها به طور مرتب اندازه گیری شدند. نتایج بررسی ها نشان داد که با وجود اینکه سلول شامل ترکیب پروسکایتی بدون آلایش برم دارای بیشترین بازده اندازه گیری شده در روز ساخت (65/11%) است، ولی به مرور زمان دچار افت شدید بازده (86%) می گردد. مقایسه نتایج به دست آمده نشان داد که کمترین میزان افت بازده (1%) مربوط به سلول دارای لایه جاذب آلاییده با نسبت مولی برم به ید 1:1 با بازده تبدیل انرژی 9% است.