بررسی خواص دی الکتریکی لایه های نانوساختار Bi4Ti3O12 و Bi12TiO20 تهیه شده به روش سل- ژل

هدف از این تحقیق، سنتز و مشخصه یابی لایه های نانوساختار تیتانات بیسموت با دو ترکیب Bi4Ti3O12 و Bi12TiO20 به روش سل- ژل  می باشد. همچنین تغییرات خواص دی الکتریک نمونه های تهیه شده با دمای آنیل و فرکانس اعمالی مورد بررسی و ارزیابی قرار گرفت. در این راستا دو محلول سل مختلف با نسبت های مولار مشخص از مواد اولیه به روش سل- ژل تهیه و پس از لایه نشانی خشک و سپس در دماهای مختلف 300 تا 700 درجه سانتیگراد آنیل شدند. به منظور بررسی ساختار و خواص لایه های سنتز شده از دستگاه های آنالیز طیفسنج مادون قرمز، پراش اسعه ایکس، میکروسکوپ الکترونی روبشی، طیف سنجی پراش انرژی پرتو ایکس و LCRمتر استفاده شد. بررسی های فازی نمونه ها به وسیله پراش اسعه ایکس حاکی از تشکیل ترکیبات Bi4Ti3O12 با ساختار اورتورومبیک و Bi12TiO20 با ساختار مکعبی می باشند که در دمای600 درجه سانتیگراد به مدت یک ساعت به طور کامل کریستاله شده اند. نتایج آزمایشات خواص دی الکتریک نشان داد که با افزایش دمای آنیل، ثابت دی الکتریک و اتلاف دی الکتریک در هر دو نمونه افزایش یافتند. همچنین با افزایش فرکانس، ثابت دی الکتریک نمونه ها کاهش و تلفات دی الکتریک آن ها افزایش می یابد.