مقایسه لایه های سد کننده AL2S3 و ZnS در سلول های خورشیدی حساس شده با نقاط کوانتومی

در این تحقیق، سلول های خورشیدی حساس شده با نقاط کوانتومی بر پایه ی نانو میله های اکسید روی ساخته می شود. با توجه به چالش های موجود در این نوع سلول ها از جمله رسانندگی ضعیف اکسید روی، به علت باز ترکیب بالا در مرز الکترولیت و نقاط کوانتومی و انتقال ضعیف الکترون از نقاط کوانتومی به اکسید روی، چندین آزمایش و بهینه سازی روی فوتو آند انجام می گردد. به منظور بهبود بخشیدن به انتقال الکترون ها و کاهش بازترکیب در فصل مشترک الکترولیت با نقاط کوانتومی، دو لایه ی سد کننده مورد استفاده قرار می-گیرد. نتایج حاصل نشان می دهد که با مقایسه بین دو لایه سد کننده ZnO/CdS/ZnS و ZnO/CdS/AL2S3، بازده ی سلول به ترتیب برابر با 28/1 و 24/1 درصد، ولتاژ مدار باز به ترتیب برابر با 67/0 و 67/0 ولت، چگالی جریان مدار باز به ترتیب برابر با 86/3 و 75/3 میلی آمپر، و فاکتور پرشوندگی به ترتیب برابر با 6/48 و 3/49 درصد بدست می آید. در اینجا ما درمی یابیم که به علت کاهش جذب نور و بازترکیب الکترون-حفره، لایه سدکننده ZnS بازده بیشتری 28/1 درصد را در مقایسه با Al2S3 24/1 درصد به خود اختصاص می دهد.